記者鄧宜／新竹報導

工研院十五日宣布與晶圓製造龍頭台積電合作開發世界前瞻的自旋軌道扭矩磁性記憶體陣列晶片，同時也攜手陽明交通大學研發出工作溫度橫跨近四百度之新興磁性記憶體技術，在全球半導體領域頂尖之「超大型積體技術及電路國際會議」發表相關論文，可望加速產業躋身下世代記憶體技術領先群，維持臺灣半導體在國際不可或缺的地位。

工研院電子與光電系統所所長張世杰表示，磁阻式隨機存取記憶體MRAM有媲美靜態隨機存取記憶體（SRAM）的寫入、讀取速度，兼具快閃記憶體非揮發性，近年來已成為半導體先進製程、下世代記憶體與運算的新星。記憶體若在高寫入速度的前提下，使用的電壓電流越小，則代表效率越高，工研院攜手台積電共同發表具備高寫入效率與低寫入電壓SOT-MRAM技術，並達成0.4奈秒高速寫入、7兆次讀寫之高耐受度，比歐洲最大的半導體研究機構比利時微電子研究中心多一百倍，還有超過十年資料儲存能力等特性的技，未來可整合成先進製程嵌入式記憶體，在AI人工智慧、車用電子、高效能運算晶片等領域具有極佳的前景。

此外，工研院與陽明交通大學，今年也在VLSI共同發表新興磁性記憶體的高效能運作技術。優化自旋轉移矩磁性記憶體的多層膜與元件，提高寫入速度、縮短延遲、降低寫入電流與增高使用次數等特色，在一百廿七度到零下二百六十九度範圍內，具有穩定且高效能的資料存取能力，工作溫度橫跨近四百度的多功能磁性記憶體是首次被實驗驗證，未來在量子電腦、航太領域等前瞻應用與產業上潛力強大。